Vakumda buharlaştırma yöntemiyle hazırlanan Cu2S ince filmlerin optik özelliklerinin elipsometrik incelenmesi

Abstract

Bu çalışmada vakumda buharlaştırma yöntemiyle hazırlanan Cu, Cu2S/Cu ve Cu2S filmlerinin optik özellikleri elipsometrik ve spektrofotometrik yöntemlerle incelenmiştir. Bundan başka Cu2S ince filmlerin yapısal verileri X-ışını difraktometresiyle elde edildi. Cu ve Cu2S/Cu sistemlerinin görünür ışık bölgesindeki optik özelliklerinin foton enerjisi ile değişimi elipsometrik yöntemle belirlenmiştir. Opak Cu filmin ve elipsometrik parametrelerinin gelme açısıyla değişiminden belirlenen asal gelme açısı değerinin 66,8 ' olduğu bulunmuştur. Farklı sıcaklıktaki cam taşıyıcılar üzerinde elde edilen Cu2S ince filmlerinin yasak band aralığı optik absorpsiyon ölçümlerinden belirlenmiştir. Cu2S ince filmlerin belirlenen yasak band aralığı değerlerinin 2,48-2,52 eV enerji aralığında olduğu ve literatürde verilen sonuçlarla uyumlu olduğu görülmüştür (Bagul, Chavhan, Sharma, 2007; Zhuge, Li, Gao, Gan, Zhou, 2009). Büyütülen filmlerin X-ışını kırınım difraktometresi ile belirlenen kırınım desenleri büyüyen fazın Cu2S olduğunu göstermiştir.

In this study, optical properties of Cu, Cu2S/Cu and Cu2S films prepared by vacuum evaporation have been investigated by ellipsometric and spectrophotometric methods. Moreover, the structural data of Cu2S thin films were obtained by X-ray diffractometer. The photon energy dependence of optical properties of Cu and Cu2S/Cu systems in the visible range has been determined by ellipsometric method. The principle angle of opaque Cu film has been obtained to be in the value of 66.8 ' degrees from the variation of the ellipsometric angles and with the angle of incidence. The forbidden band gaps of Cu2S thin films deposited on the glass substrates for different temperatures have been determined by the optical absorption measurements. It has been stated that the values of the forbidden band gaps determined the Cu2S thin films are in the energy range of 2.48-2.52 eV and convenient with the results reported in the literature (Bagul, Chavhan, Sharma, 2007; Zhuge, Li, Gao, Gan, Zhou, 2009). The diffraction patterns of deposited films determined by X-ray diffractometer have represented to be Cu2S of the phase grown.